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第三代半导体紫外探测材料及器件关健技术
 
 
 

     以碳化硅和氮化物为代表的宽禁带半导体是近年来国内外重点研究和发展的新型第三代半导体材料,具有禁带宽度大、导热性能好、电子饱和漂移速度高以及化学稳定性优等特点,用于工作在紫外波段的光电探测器件,具有显著的材料性能优势。我国在宽禁带半导体材料和固态紫外探测研究领域具有良好的基础,与国际先进水平同步。面向新的应用需求和科学技术的发展,迫切要求在宽禁带半导体雪崩光电探测器技术领域取得新的突破,以适应信息技术发展和国家安全的重大需要,这就要求我们对固态紫外探测技术的科学和核心技术问题进行深入系统地研究,实现技术跨越。

 
文章引用:http://www.njshanzha.com/content/?228.html
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